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實(shí)用新型專利創(chuàng)造性判斷中對(duì)相近、相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的確定

發(fā)布時(shí)間：

2024-10-15

實(shí)用新型專利創(chuàng)造性判斷中對(duì)相近、相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的確定

　　——（2022）最高法知行終41號(hào)

　　【裁判要旨】確定實(shí)用新型專利的技術(shù)領(lǐng)域時(shí)，應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的技術(shù)方案為對(duì)象，以主題名稱為起點(diǎn)，綜合考慮專利技術(shù)方案的功能、用途。與專利技術(shù)方案的功能、用途相近的技術(shù)領(lǐng)域，構(gòu)成專利技術(shù)領(lǐng)域的相近技術(shù)領(lǐng)域；專利技術(shù)方案與最接近現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別技術(shù)特征所應(yīng)用的技術(shù)領(lǐng)域，構(gòu)成專利技術(shù)領(lǐng)域的相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域。
　　【關(guān)鍵詞】行政實(shí)用新型專利權(quán)無效創(chuàng)造性相近技術(shù)領(lǐng)域相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域
　　【基本案情】陳某建系專利號(hào)為201620169331.2、名稱為“鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)”的實(shí)用新型專利的專利權(quán)人。2020年7月15日，深圳市恒某公司針對(duì)本專利權(quán)提出無效宣告請(qǐng)求，對(duì)此國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局于2021年1月4日作出第47707號(hào)無效宣告請(qǐng)求審查決定，宣告本專利權(quán)有效。深圳市恒某公司不服，向一審法院提起訴訟，請(qǐng)求撤銷被訴決定，判令國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局重新作出決定。
　　一審法院于2021年9月22日作出行政判決：駁回深圳市恒某公司的訴訟請(qǐng)求。深圳市恒某公司提出上訴，最高人民法院于2022年12月29日作出（2022）最高法知行終41號(hào)行政判決：一、撤銷一審法院行政判決；二、撤銷國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局第47707號(hào)無效宣告請(qǐng)求審查決定；三、國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局就深圳市恒某公司針對(duì)專利號(hào)為201620169331.2、名稱為“鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)”的實(shí)用新型專利提出的無效宣告請(qǐng)求重新作出審查決定。
　　【裁判意見】法院生效裁判認(rèn)為，技術(shù)領(lǐng)域的確定，應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的內(nèi)容為準(zhǔn)，一般根據(jù)專利的主題名稱，結(jié)合技術(shù)方案所實(shí)現(xiàn)的技術(shù)功能、用途加以確定。相近的技術(shù)領(lǐng)域一般指與實(shí)用新型專利產(chǎn)品功能以及具體用途相近的領(lǐng)域，相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域一般指實(shí)用新型專利與最接近的現(xiàn)有技術(shù)的區(qū)別技術(shù)特征所應(yīng)用的功能領(lǐng)域。
　　本專利權(quán)利要求1要求保護(hù)的是一種鋁柵CMOS雙層金屬布線的版圖結(jié)構(gòu)，旨在解決現(xiàn)有技術(shù)中單層金屬的鋁柵CMOS工藝設(shè)計(jì)的產(chǎn)品集成度低的問題。為了解決上述問題，本專利權(quán)利要求1采取的技術(shù)手段主要是：將現(xiàn)有的單層鋁柵CMOS金屬布線結(jié)構(gòu)的壓焊點(diǎn)（輸入和輸出PAD、電源和地端PAD）作為第二層金屬結(jié)構(gòu)設(shè)置于第一金屬層金屬結(jié)構(gòu)上，也就是設(shè)置到鋁柵CMOS結(jié)構(gòu)之上，提高鋁柵CMOS集成度。為了評(píng)價(jià)本專利權(quán)利要求1版圖結(jié)構(gòu)的創(chuàng)造性，一審判決及被訴決定基于硅柵和鋁柵的柵極材料不同，均認(rèn)為硅柵CMOS集成電路和鋁柵CMOS集成電路屬于不同的技術(shù)領(lǐng)域，進(jìn)而認(rèn)定二者的技術(shù)方案實(shí)質(zhì)上并不相同，本專利權(quán)利要求1具備創(chuàng)造性。本專利權(quán)利要求1與證據(jù)1、2、3、5、6、7的區(qū)別技術(shù)特征在于，證據(jù)1、2、3、5、6、7公開的均是硅柵CMOS金屬布線結(jié)構(gòu)，并沒有公開任何涉及“鋁柵”的內(nèi)容。在半導(dǎo)體工業(yè)的早期，金屬鋁一般被用作CMOS的柵極材料，此后硅被廣泛運(yùn)用于柵極材料。盡管柵極材料從鋁到硅的發(fā)展確實(shí)是半導(dǎo)體器件的改進(jìn)，但鋁柵與硅柵的區(qū)別對(duì)于本專利所采取的雙層金屬布線版圖結(jié)構(gòu)的技術(shù)方案沒有實(shí)質(zhì)性影響，柵極材料的選擇不應(yīng)作為本專利的技術(shù)貢獻(xiàn)。因此，本專利與硅柵CMOS雙層金屬布線結(jié)構(gòu)功能相同、用途相近，提高CMOS集成度的原理基本相同，可以將硅柵CMOS雙層金屬布線結(jié)構(gòu)視為本專利的相同或相近技術(shù)領(lǐng)域。被訴決定和一審判決在評(píng)價(jià)本專利的創(chuàng)造性時(shí)，未考慮硅柵CMOS雙層金屬布線結(jié)構(gòu)，屬于適用法律錯(cuò)誤。
　　【關(guān)聯(lián)索引】《中華人民共和國(guó)專利法》第22條第3款（本案適用的是2009年10月1日施行的《中華人民共和國(guó)專利法》第22條第3款）

責(zé)任編輯：知識(shí)產(chǎn)權(quán)法庭